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扩散\氧化炉
主要满足于半导体器件、集成电路生产线中各种扩散、氧化、退火、合金工艺。
| 炉体口径：Φ180mm～Φ300mm |
| 工作温度：200℃～1300℃ |
| 炉体恒温区：≤1000mm±0.5℃ |
| 控温精度：±0.5℃ |
| 单点温度稳定性：±0.5℃/24h |
| 最大可控升温速度：15℃/min |
| 最大降温速度：5℃/min |
| 加热器配置：1～4管/台 |
| 推拉舟：悬臂推拉系统 |
| 控制方式：工控机、触摸屏程控 |
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气源供给：液态源\固态源扩散，隐埋扩散
干、湿氧化及氢氧合成氧化
外燃式氢氧合成氧化，确保大尺寸硅片上氧化膜的均匀性
连接方式：双卡套、VCR可选择
工艺气体：MFC自动控制
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